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我們假設元件在 284.9 eV 樣品B主要來源於底層的碳原子,這些碳原子與碳原子形成層間鍵 在頂層。我們的假設是基於這樣一個事實,即自 樣品B中的底部層比頂層的氟化程度要低, 形成層間鍵的下層中的C原子可以 在 284.9 eV 時生成「純」sp3 C+C 信號,該信號不強烈 受碳-氟鍵的存在的影響。在同一 時間,基於AR-XPS,285.6 eV的信號對應於 樣品 B 和 C 中的 C_CF 元件主要源自 頂層。相比之下,在樣本 A 中,無法區分 C+CF 和 C+C sp3 元件之間,由於本質上 完美的C2F測量和C+F債券的均勻分佈 在層。因此,樣本A中的每一秒C原子,這可能 形成層間鍵,也毗鄰與氟粘結的C原子 因此,不可能解析「純」C+C sp3 和 C_CF 信號。 這解釋了在 綁定能量範圍 284.9~285.6 eV。在樣本 C 中,相對 氟含量低(15~16在.),信號對應 C_C 層間鍵顯然未檢測到,因為 缺乏C+F共價債券,這可以穩定結構 層間連接。氟化的受時間依賴XPS分析 進行了樣本A、B和C,表明結構 樣品A和C比結構穩定得多 樣本B(補充圖5)。

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